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北方华创12英寸氮化硅LPCVD获突破,进入中国IC制造龙头企业

放大字体  缩小字体 发布日期:2020-04-20   来源:中国半导体照明网  浏览次数:517
 2020年4月7日,北方华创THEORIS SN302D型12英寸氮化硅沉积设备Move in国内集成电路制造龙头企业。该设备的交付,意味着国产立式LPCVD设备在先进集成电路制造领域的应用拓展上实现重大进展。

氮化硅(Si3N4)薄膜是一种应用广泛的介质材料。作为非晶绝缘物质,氮化硅膜的介质特性优于二氧化硅膜,具有对可动离子阻挡能力强、结构致密、针孔密度小、化学稳定性好、介电常数高等优点,常用于集成电路制造中的介质绝缘、杂质掩蔽、浅沟道隔离、掩膜、外层钝化保护等工艺。作为一种性能优良的重要介质材料,在集成电路制造领域,氮化硅薄膜广泛使用LPCVD类型设备制备,而颗粒控制水平是设备能力的一项重要指标。

北方华创在氮化硅工艺设备THEORIS SN302D的开发过程中,通过整合已有产品平台技术,针对性地研发了快速升降温加热技术和炉口气流优化技术,良好地解决了氮化硅工艺过程中颗粒控制不稳的技术性难题。并在满足常规生产能力的基础上,为提升客户使用的附加价值,进一步开发了长恒温区反应腔室设计,实现了高产能的硬件技术解决方案,匹配市场的多样化需求。

经过10余年的创新发展,北方华创立式炉从无到有,从设备研发到产业化,目前已形成氧化(Oxide)、退火(Anneal)、化学气相沉积(LPCVD)、合金(Alloy)四大系列工艺设备,设备性能达到国际同类产品的先进水平。北方华创在不断拓展产品应用领域的同时,也将致力于帮助客户提升工艺性能、提高产能、降低成本,为半导体集成电路领域的广大客户带来无限可能。

 
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