【IFWS 2016】邱显钦: 用SOI氮化镓基板技术的高性能开关电源和频射功率器件

【IFWS 2016】David Lishan: 氮化镓基器件采用等离子切割的生产效益

【IFWS 2016】綦振瀛: 射频通信用AlInN/GaN HEMT器件的MOCVD外延生长

围绕第三代半导体，今年跨国技术转移大会专门设置了多场分会，其中，11月16日下午举行的“第三代半导体与新一代移动通信技术...

来自中兴通讯股份有限公司射频功放平台总工刘建利作了题为“射频功率器件在移动通信基站射频功率放大器中的应用”主题报告。...

日本名古屋大学教授宇治原徹分享了“高质量碳化硅的溶液生长”研究报告

【IFWS 2016】周达成: 高电压碳化硅功率器件的研究进展

【IFWS 2016】Sima DIMITRIJEV教授: 电力电子设备的后硅时代

　　11月15日-17日，2016中国(北京)跨国技术转移大会暨第三代半导体国际论坛（以下简称跨国技术转移大会）在北京国际会议中心...

　　IFWS碳化硅电力电子器件技术分会（上）　　以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等为代表的第三代半导体材料，具有高击穿场强、高...

【IFWS 2016】北京市科委新能源处与新材料处长许心超：第三代半导体正处于发展的窗口期

2016年11月15日至17日， 2016中国(北京)跨国技术转移大会暨第三代半导体国际论坛（以下简称“跨国技术转移大会”）在北京国际...

2016年11月12日荷兰代尔夫特理工大学中国研究院揭牌仪式在北京顺义宾馆会议中心隆重举行。 国家科技部原副部长曹健林，北京顺...

2016年11月16日召开的“氮化镓及其他新型宽禁带半导体电力电子器件技术”分会采用召集人+主席+分会团的模式，山东大学校长、...

2016年11月3日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，北京半导体照...

高通正和荷兰半导体公司恩智浦(NXP Semiconductors)洽谈，计划以超过 300 亿美元的价格收购后者。按照 IC insights 统计的今...

光器件是光通信系统中的重要组成部分，功能主要包括发送接收、波分复用、增益放大、开关交换和系统管理等，产品分为有源器件...

　“十二五”期间，我市以航空城建设为契机，抓住参与制造C919大飞机的良好机遇，大力发展航空制造业，吸引了一大批航空产业...

化合物半导体是区别于硅(Si)和锗(Ge)等传统单质的一类半导体材料，主要包括砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)、碳化硅(...

光电子集成电路被认为是下一个希望所在。光电子集成产业是以“互联网+”、物联网为代表的大信息技术产业的核心，被喻为“工业...